IRFD110 MOSFET à Canal-N de Puissance, 100V, 1A, DIP-4

MOSFET à Canal-N de Puissance de type IRFD110 par International Rectifier pour montage traversant.

• No. de Pièce IR: IRFD110
• Tension Drain-Source: 200V
• Courant du Drain (Continu): 1.0A
• Courant du Drain (Crête): 8.0A
• Résistance Statique Drain-Source à l'État-ON: 0.54Ω
• Température de Service: -55 ~ 175°C
• Package: DIP-4 (Largeur .300"), Hexdip, HVMDIP
• Pays d'origine: États-Unis
• Fiche Technique: sihfd110.pdf