IRFD112 MOSFET à Canal-N de Puissance, 100V, 0.8A, DIP-4

MOSFET à Canal-N de Puissance de type IRFD112 par International Rectifier pour montage traversant.

• No. de Pièce IR#: IRFD112
• Tension de Rupture Drain-Source: 200V
• Courant du Drain (Continu): 0.8A
• Courant du Drain (Crête): 6.4A
• Résistance Statique Drain-Source à l'État-ON: 0.8Ω
• Température de Service: -55 ~ 150°C
• Package: DIP-4 (Largeur .300"), Hexdip, HVMDIP
• Pays d'origine: États-Unis
• Fiche Technique: IRFD112.pdf