H11F1 Photocoupleur FET, DIP-6

Photocoupleur FET de type H11F1 par Fairchild pour montage traversant. Le H11F1 est constitué d'une diode émettrice IRED Gallium-Aluminium-Arséniure couplée à un photodétecteur au silicium de type bilatéral symétrique. Le détecteur fonctionne comme un FET (transistor à effet de champ) isolé idéal.

• No. de Pièce Fairchild: H11F1
• Tension d'isolement (AC): 5.3 kV RMS
• ON-Résistance: 200Ω
• Courant Direct de l'émetteur: 60 mA
• Tension de Rupture du Détecteur: ±30 V
• Courant Continu du Détecteur: 100 mA
• Package: DIP-6
• Température de Service: -55°C ~ 100°C
• Fiche Technique: H11F1.pdf