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IRFD112 N-Channel Power MOSFET, 100V, 0.8A, DIP-4

  • Article # 2765
  • TR-IRFD112
  • 0.08kgs
  • 8 unités en stock
  • Fabriqué par: International Rectifier

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International Rectifier IRFD112 N-Channel Power MOSFET in plastic DIP.

  • IR Part#: IRFD112
  • Breakdown Voltage (Drain-Source): 200V
  • Drain Current (Continuous): 0.8A
  • Drain Current (Peak): 6.4A
  • Static Drain-to-Source On-Resistance: 0.8Ω
  • Operating Temperature: -55 ~ 150°C
  • Package: DIP-4 (.300" Wide), Hexdip, HVMDIP
  • COO: United States
  • Datasheet: IRFD112.pdf

Produit disponible depuis 07/24/2017

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